Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
AGM1095M
N+P channel 100V 7A/-6A 100mΩ/240mΩ
Artikelnummer
AGM1095M
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
AGM-Semi (core control source)
Inkapsling
SOP-8
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: One N-channel and one P-channel Drain-source voltage (Vdss): 100V Continuous drain current (Id): 7A/-6A Power (Pd): 2.5W On-resistance (RDS(on )@Vgs, Id: 100mΩ@10V, 6A/240mΩ@-10V, -6A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6A@250uA/-1.6A@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 25.4nC @10V/33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.999nF@50V/1.6nF@50V, Vds=100v Id=7A/-6A Rds=100mΩ/240mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@ (Tj)
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.