köpa AGM-Semi (core control source) AGM12N10A AGM12N10A

AGM-Semi (core control source)

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

AGM12N10A

Artikelnummer

AGM12N10A

Kategori

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Tillverkare/varumärke

AGM-Semi (core control source)

Inkapsling

PDFN-8(5x6)

Förpackning

taping

Antal paket

3000

Beskrivning

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 55A Power (Pd): 96W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.3mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 21.8nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.08nF@50V , Vds=100V Id=55A Rds=9.3mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5x6encapsulation;

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 91734 PCS

Kontaktinformation