Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
AGM10N15D
AGM10N15D
Artikelnummer
AGM10N15D
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
AGM-Semi (core control source)
Inkapsling
TO-252
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 150V Continuous drain current (Id): 8.6A Power (Pd): 39W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 196mΩ@10V, 4A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 2.0@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 8.2nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.45nF@75V, Vds=150v Id=8.6A Rds=196mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.