Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
RFD3055

RFD3055

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Artikelnummer
RFD3055
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
53W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27124 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av RFD3055
RFD3055 Elektroniska komponenter
RFD3055 Försäljning
RFD3055 Leverantör
RFD3055 Distributör
RFD3055 Datatabell
RFD3055 Foton
RFD3055 Pris
RFD3055 Erbjudande
RFD3055 Lägsta pris
RFD3055 Sök
RFD3055 Köp av
RFD3055 Chip