Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
RFD3055LE

RFD3055LE

MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Artikelnummer
RFD3055LE
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
38W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48555 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av RFD3055LE
RFD3055LE Elektroniska komponenter
RFD3055LE Försäljning
RFD3055LE Leverantör
RFD3055LE Distributör
RFD3055LE Datatabell
RFD3055LE Foton
RFD3055LE Pris
RFD3055LE Erbjudande
RFD3055LE Lägsta pris
RFD3055LE Sök
RFD3055LE Köp av
RFD3055LE Chip