Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A

MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Artikelnummer
RFD3055LESM9A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
38W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42756 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A Elektroniska komponenter
RFD3055LESM9A Försäljning
RFD3055LESM9A Leverantör
RFD3055LESM9A Distributör
RFD3055LESM9A Datatabell
RFD3055LESM9A Foton
RFD3055LESM9A Pris
RFD3055LESM9A Erbjudande
RFD3055LESM9A Lägsta pris
RFD3055LESM9A Sök
RFD3055LESM9A Köp av
RFD3055LESM9A Chip